Samsung Anunciar 512MB PRAM Produ��o em massa Facilidade at� junho 2009

Samsung, um dos guiando circuito integrado de mem�ria vendedores possui justamente anunciar dela plano para produzir 512MB PRAM ( fase- altera��o circuito integrado de mem�ria) com produ��o em massa volume at� junho nesse ano. Seguinte gera��o mem�ria tecnologia possui conjunto as vantagens de ambas NAND e NEM fagulha mem�ria que make a um mais potentes m�dulo de mem�ria adequado tanto consumidor e industrial usos.

O mecanismo atrasado est� tem por base o car�ter de chalcogenide vidro que mudan�as estados entre cristalino e amorfo quando c�lido acima ou legal abaixo qual poderia afetar o el�trico resistivity usar loja dado peda�os. Com essa caracter�stica, a aspectos um ultra depressa acesso aleat�rio velociadade de NEM fagulha enquanto estava a mesma tempo capaz de manter os pormenores permanentemente como what NAND mem�ria faz. Te�rico, o Coreana mem�ria fabricante aproxima��es que seguinte gera��o mem�ria estar� 30 tempos mais r�pido que convencional fagulha mem�ria e surpreendente, � muito mais digno de confian�a estar habilitado acertar 10 tempos a vida ponte de normal fagulha mem�ria.

N�o pre�o informa��o est� a ser dispon�vel ainda, o embarque ir� com�rcio imediatamente at� junho e n�s dev�amos esperar algum migra��o atividades de existente a pr�xima gera��o mem�ria tecnologia especialmente em m�bil mercado onde atua��o e desenho espa�o s�o at grande carinhos.

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