Samsung Announces 512MB PRAM Mass Production Readiness by June 2009 Samsung annuncia 512MB PRAM Readiness produzione di massa entro giugno 2009
Samsung, one of the leading memory chip vendors has just announced its plan to produce 512MB PRAM (Phase-change memory) chip with mass production volume by June this year. Samsung, uno dei fornitori leader di chip di memoria ha appena annunciato il suo piano per la produzione di 512 PRAM (Phase-memoria change) chip con un volume di produzione di massa entro giugno di quest'anno. The next generation memory technology has combined the advantages of both the NAND and NOR flash memory that make it a more powerful memory module suitable for both consumer and industrial usages. La tecnologia di prossima generazione, la memoria ha unito i vantaggi di entrambe le memorie flash NAND e NOR che lo rendono un modulo di memoria più potente adatto sia per i consumatori e gli usi industriali.
The mechanism behind is it is based on the nature of chalcogenide glass that changes states between crystalline and amorphous when heated up or cooled down which could affect the electrical resistivity to be used to store data bits. Il meccanismo è dietro di esso si basa sulla natura del vetro calcogenuri che cambia stati tra cristallino e amorfo, quando riscaldato o raffreddato, che potrebbero influenzare la resistività elettrica da utilizzare per memorizzare i bit di dati. With this characteristic, it features an ultra fast random access speed of NOR flash while at the same time able to keep the data permanently like what NAND memory does. Con questa caratteristica, è dotato di un ultra rapida velocità di accesso casuale di flash NOR, mentre al tempo stesso in grado di conservare i dati in modo permanente, come quello che la memoria NAND fa. Theoretically, the Korean memory manufacturer estimates that the next generation memory will be 30 times faster than conventional flash memory and surprisingly, it is far more reliable to be able to hit 10 times the life span of normal flash memory. Teoricamente, le stime produttore coreano di memoria che la memoria di nuova generazione sarà 30 volte più veloce rispetto alla memoria flash convenzionali e, sorprendentemente, è molto più affidabile di essere in grado di colpire 10 volte la durata della vita di memoria flash normale.
No price information is being available yet, the shipment will commerce immediately by June and we should expect some migration activities from existing to next generation memory technology especially in mobile market where performance and design space are at great concerns. Nessuna informazione sui prezzi è ancora disponibile, la spedizione sarà immediatamente dal commercio di giugno e ci si deve aspettare qualche attività di migrazione dalle attuali tecnologie di memoria di nuova generazione in particolare nel mercato della telefonia mobile nel caso in cui lo spazio e design sono grandi preoccupazioni.
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