Samsung Announces 512MB PRAM Mass Production Readiness by June 2009 Samsung annonce la PRAM 512 Mass Production Readiness par Juin 2009
Samsung, one of the leading memory chip vendors has just announced its plan to produce 512MB PRAM (Phase-change memory) chip with mass production volume by June this year. Samsung, l'un des fournisseurs leader de puces mémoire, vient d'annoncer son plan visant à produire 512 PRAM (Phase-mémoire à changement) à puce avec un volume de production de masse en Juin de cette année. The next generation memory technology has combined the advantages of both the NAND and NOR flash memory that make it a more powerful memory module suitable for both consumer and industrial usages. La technologie de prochaine génération de mémoire a combiné les avantages des deux mémoires flash NAND et NOR qui en font un module plus puissante mémoire convient à la fois industriels et de consommation usages.
The mechanism behind is it is based on the nature of chalcogenide glass that changes states between crystalline and amorphous when heated up or cooled down which could affect the electrical resistivity to be used to store data bits. Le mécanisme est derrière tout cela est basé sur la nature du verre chalcogénure que les changements entre les états amorphes et cristallins lorsque chauffé ou refroidi qui pourrait nuire à la résistivité électrique qui doit être utilisée pour stocker les bits de données. With this characteristic, it features an ultra fast random access speed of NOR flash while at the same time able to keep the data permanently like what NAND memory does. Grâce à cette caractéristique, il dispose d'une vitesse ultra rapide, à accès aléatoire de mémoire flash NOR, tout en même temps capable de conserver les données en permanence comme ce que la mémoire ne NAND. Theoretically, the Korean memory manufacturer estimates that the next generation memory will be 30 times faster than conventional flash memory and surprisingly, it is far more reliable to be able to hit 10 times the life span of normal flash memory. Théoriquement, les estimations fabricant coréen de mémoire que la mémoire de la prochaine génération sera 30 fois plus rapide que la mémoire flash conventionnelle et, étonnamment, il est beaucoup plus fiables pour être en mesure de frapper 10 fois la durée de vie de la mémoire flash normal.
No price information is being available yet, the shipment will commerce immediately by June and we should expect some migration activities from existing to next generation memory technology especially in mobile market where performance and design space are at great concerns. Aucune information sur les prix est encore disponible, l'envoi sera immédiatement par le commerce Juin et nous devrions attendre la migration de certaines activités existantes à la technologie de la prochaine génération de mémoire, surtout sur le marché mobile où la performance et l'espace de conception sont à grandes préoccupations.
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