Samsung Anunciar 512MB COCHECITO DE NI�O Producci�n en serie Prontitud por Junio 2009

Samsung, un de la que gu�a memoria astilla vendedores has justa anunciado su plano a producto 512MB COCHECITO DE NI�O ( fase- cambio memoria) astilla con producci�n en serie volumen por Junio esto a�o. El siguiente generaci�n memoria tecnolog�a has combinado el ventajas de ambos el NAND y NI llamarada memoria aquel hacer �l un m�s fuerte memoria m�dulo apropiado tanto consumidor y industrial usages.

El mecanismo atr�s es as� es con base en en la �ndole de chalcogenide vidrio aquel mudanzas estados entre cristalino y amorphous cu�ndo acalorado arriba o enfriado down cu�l puedes afectar el el�ctrica resistivity ser acostumbr� tienda datos a�icos. Con esto caracter�stica, �l facciones un super ayuna fortuito acceso velocidad de NI llamarada mientras a la vez capaz de guardar el datos permanentemente como cu�l NAND memoria does. Teor�ticamente, el Coreano memoria fabricador estimaciones aquel el siguiente generaci�n memoria testamento estar 30 per�odos m�s r�pido de convencional llamarada memoria y sorpresivamente, est� distante m�s confiable ser capaz de golpe 10 per�odos el vida lapso de normal llamarada memoria.

No precio informaci�n es siendo disponible a�n, el embarque testamento comercio inmediatamente por Junio y ser�amos esperar unos migraci�n actividades desde existente a contiguo generaci�n memoria tecnolog�a especialmente en m�vil mercado adonde ejecuci�n y dise�o espacio est� a gran inquietudes.

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