Hynix and ISi Collaboration On Z-RAM Memory Technology Hynix và ISI hợp tác về Z-RAM Công nghệ
Innovative Silicon (ISi) and Hynix announced yesterday that they will both working on an agreement to license its Z-RAM memory technology to be implemented on Hynix future memory product lines. Innovative Silicon (ISI) và Hynix công bố ngày hôm qua rằng họ sẽ làm việc cả ngày một thỏa thuận cho phép của Z-RAM bộ nhớ công nghệ được thực hiện trên Hynix dòng sản phẩm bộ nhớ trong tương lai. The collaboration effort will be able to benefit Hynix with Z-RAM technology integrated to its DRAM manufacturing lines. Các nỗ lực nghiên cứu khoa học sẽ có thể hưởng lợi Hynix với công nghệ Z-RAM tích hợp vào các dòng sản xuất DRAM của nó. Similar license was first granted to AMD since end of 2005 for its microprocessor product lines development. Giấy phép tương tự lần đầu tiên được cấp cho AMD kể từ cuối năm 2005 cho sự phát triển vi xử lý dòng sản phẩm của mình.
Z-RAM, or sometimes known as “zero capacitor RAM” is a low cost memory technology that has advantages over current DRAM or SRAM technology in terms density and speed. Z-RAM, hoặc đôi khi được gọi là "không RAM tụ" là một chi phí công nghệ bộ nhớ có lợi thế hơn DRAM hiện tại hoặc công nghệ SRAM về mật độ và tốc độ. Z-RAM memory uses capacitance stored in the floating body effect of the SOI wafer itself, which eliminates the extra capacitors needed. Z-RAM sử dụng bộ nhớ dung lưu trữ trong cơ thể có hiệu lực nổi của wafer SOI chính nó, mà loại bỏ các tụ bổ sung cần thiết. With only single transistor bitcell (without additional capacitors), the electronics density can be increased as compared to DRAM and SRAM. Với chỉ bitcell bóng bán dẫn đơn (không có tụ bổ sung), mật độ điện tử có thể được tăng lên so với DRAM và SRAM. This helps to shrink its size five times more as compared to SRAM and two times for DRAM theoretically. Điều này giúp thu nhỏ kích thước của nó hơn gấp năm lần so với SRAM và hai lần cho các DRAM lý thuyết. While lowering the cost and increasing the density, the latency can be improved as well due to the smaller package size and short trace length. Trong khi làm giảm chi phí và tăng mật độ, độ trễ có thể được cải thiện cũng do các gói kích thước nhỏ hơn và ngắn vết dài.
One of the real applications with advantages of using Z-RAM technology is the on-chip cache memory for the microprocessor. Một trong những ứng dụng thực tế với những lợi thế của việc sử dụng công nghệ Z-RAM là bộ nhớ cache trên chip bộ nhớ cho các bộ vi xử lý. With the increase size and faster speed of the cache, the overall CPU performance can be improved significantly. Với kích thước tăng và tốc độ nhanh hơn của bộ nhớ cache, CPU tổng thể hiệu suất có thể được cải thiện đáng kể. Initially Hynix may experience huge investment and process trade-off just to fine tune its design and manufacturing process, but the Korean DRAM memory maker should expect long term gain after transitioning over to this new technology. Ban đầu Hynix có thể kinh nghiệm đầu tư rất lớn và quá trình thương mại-off chỉ để tinh chỉnh thiết kế và quy trình sản xuất, nhưng các hãng sản xuất bộ nhớ DRAM Hàn Quốc nên mong đợi được lâu dài sau khi chuyển tiếp sang công nghệ mới này.
IMPORTANT : The page is machine translated and provided "as is" without warranty. Quan trọng: Sửa là máy dịch và cung cấp "như là" không có bảo hành. Machine translation may be difficult to understand. Máy dịch thuật có thể khó hiểu. Please refer to Vui lòng tham khảo original English article bản gốc tiếng Anh bài viết whenever possible. bất cứ khi nào có thể.
Related Articles Bài viết liên quan
- Rambus Collaboration with Kinsgton to Develop Next Generation Threaded DDR3 Memory Module Rambus hợp tác với Kinsgton để phát triển thế hệ mới Threaded DDR3 Memory Module
- Samsung Emphasizes on DDR3 and SSD Memory Technology with Great Energy Efficiency for Greener Environment Samsung nhấn mạnh về DDR3 và bộ nhớ SSD công nghệ với hiệu quả năng lượng lớn cho môi trường Xanh hơn
- Marvell Collaboration to Integrate E-Ink Technology into Armada SoC Ready for e-Book Market Marvell hợp tác để Tích hợp công nghệ E-Ink vào Armada SoC Sẵn sàng cho e-Book thị trường
- Ericsson and Intel Collaboration to Develop Anti Theft Technology in Laptop System Ericsson và Intel hợp tác để phát triển công nghệ chống trộm cắp trong hệ thống máy tính xách tay
- New Buffalo 32GB Flash Memory Drive With TurboUSB Technology New Buffalo 32GB Flash Memory Drive Với công nghệ TurboUSB
- Toshiba Unveiled 32GB Highest Memory Capacity NAND Flash Memory Devices for Consumer Markets Ra mắt Samsung 32GB cao nhất Memory Capacity Thiết bị bộ nhớ flash NAND cho tiêu dùng Thị trường
- Samsung Announced World's First 32GB DDR3 Memory for Server Market Samsung thông báo đầu tiên của thế giới 32GB DDR3 bộ nhớ cho máy chủ thị trường
- Intel Collaboration With OLPC on Low End Laptop Intel cộng tác với OLPC trên Low Cuối Laptop
- HLP Free Memory Optimizer to Reduce and Minimize RAM Memory Usage in Windows System HLP Free Memory Optimizer để Giảm và Giảm thiểu sử dụng bộ nhớ RAM trên hệ thống Windows
- Sandisk Announces 16GB microSDHC And Memory Stick Micro (M2) Mobile Memory Cards Sandisk microSDHC 16GB và công thẻ nhớ Memory Stick Micro (M2) Mobile Memory Cards
