Hynix and ISi Collaboration On Z-RAM Memory Technology Hynix і МСІ Співпраця з Z-RAM пам'яті техніці
Innovative Silicon (ISi) and Hynix announced yesterday that they will both working on an agreement to license its Z-RAM memory technology to be implemented on Hynix future memory product lines. Новаторські Кремній (ІСІ) та Hynix оголосила вчора про те, що вони обидва працюють над угодою про ліцензування свого Z-RAM пам'яті техніки буде здійснюватися на пам'яті Hynix майбутніх ліній продуктів. The collaboration effort will be able to benefit Hynix with Z-RAM technology integrated to its DRAM manufacturing lines. Співпраця зусиль зможуть скористатися Hynix з Z-RAM Технологія комплексного її DRAM виробничі лінії. Similar license was first granted to AMD since end of 2005 for its microprocessor product lines development. Аналогічні ліцензії вперше було надано AMD з кінця 2005 року для його мікропроцесор продукт лінії розвитку.
Z-RAM, or sometimes known as “zero capacitor RAM” is a low cost memory technology that has advantages over current DRAM or SRAM technology in terms density and speed. Z-RAM, а іноді і відомих, як "нульовий конденсатор пам'яті" є низька вартість пам'яті технологія, яка має переваги в порівнянні з нинішнім DRAM або SRAM технології з точки зору щільності й швидкості. Z-RAM memory uses capacitance stored in the floating body effect of the SOI wafer itself, which eliminates the extra capacitors needed. Z-RAM використовується ємність пам'яті зберігаються в плаваюче тіло вплив на СОІ вафельних себе, що виключає додаткові конденсатори необхідні. With only single transistor bitcell (without additional capacitors), the electronics density can be increased as compared to DRAM and SRAM. В одному тільки транзистор bitcell (без додаткових конденсаторів), електронної щільності може бути збільшена в порівнянні з DRAM і SRAM. This helps to shrink its size five times more as compared to SRAM and two times for DRAM theoretically. Це дозволяє зменшити його розміри в п'ять разів більше в порівнянні з SRAM і два рази на DRAM теоретично. While lowering the cost and increasing the density, the latency can be improved as well due to the smaller package size and short trace length. При зниженні витрат і підвищення щільності, затримка може бути підвищена, а з-за меншого розміру пакета і короткий слід завдовжки.
One of the real applications with advantages of using Z-RAM technology is the on-chip cache memory for the microprocessor. Одним з реальних додатків з перевагами використання Z-RAM технологія є на-чіпі кеш пам'яті мікропроцесора. With the increase size and faster speed of the cache, the overall CPU performance can be improved significantly. Зі збільшенням розмірів і швидше швидкості кеш-пам'яті, загальна продуктивність процесора можуть бути значно покращився. Initially Hynix may experience huge investment and process trade-off just to fine tune its design and manufacturing process, but the Korean DRAM memory maker should expect long term gain after transitioning over to this new technology. Спочатку Hynix можуть виникнути величезні інвестиції, і процес пошуку компромісу тільки для тонкої настройки його розробки і виробничий процес, але на Корейському DRAM пам'ять Maker слід очікувати довгостроковій перспективі отримати після переходу до цієї нової технології.
IMPORTANT : The page is machine translated and provided "as is" without warranty. Увага: Ця сторінка машина переведена і надаються "як є" без гарантії. Machine translation may be difficult to understand. Машинний переклад може бути важким для розуміння. Please refer to Будь ласка, зверніться до original English article Англійська оригінальні статті whenever possible. коли це можливо.
Related Articles Статті по темі
- New Buffalo 32GB Flash Memory Drive With TurboUSB Technology Нью-Буффало 32 ГБ флеш-пам'яті диска TurboUSB технології
- Toshiba Unveiled 32GB Highest Memory Capacity NAND Flash Memory Devices for Consumer Markets Toshiba оприлюднив 32 ГБ висока ємність пам'яті NAND Flash пам'яті пристрою для споживчого ринку
- Ericsson and Intel Collaboration to Develop Anti Theft Technology in Laptop System Ericsson і Intel співробітництво з розробки протиракетної Розкрадання технологій в системі для ноутбуків
- Samsung Announced World's First 32GB DDR3 Memory for Server Market Samsung оприлюднений світі Перший 32 ГБ пам'яті DDR3 на ринку серверів
- Intel Collaboration With OLPC on Low End Laptop Співпраця з Intel OLPC за низькими для ноутбуків
- Sandisk Announces 16GB microSDHC And Memory Stick Micro (M2) Mobile Memory Cards Sandisk оголошує 16GB microSDHC і Memory Stick Micro (M2) Мобільні карти пам'яті
- Samsung 32GB moviNAND With Advanced 30nm Class Process Technology Samsung 32 ГБ moviNAND Що Розширений 30nm класу Технологія процесу
- Metalink and Hisense Collaboration to bring Wireless HDTV to Digital Home Металінк і Hisense Співпраця довести Бездротовий HDTV для цифрового будинку
- JMicron Brings SSD Cost Down with New Flash Controller and Process Technology JMicron Приносить SSD Вартість Геть Новий Flash контролером процесу та технології
- IBM Announces 45-nm Process Technology CBE Processor for Sony PS3 IBM оголошує про 45-нм технології процесу CBE процесорів для Sony PS3
