Hynix and ISi Collaboration On Z-RAM Memory Technology HYNIX и МСИ сотрудничестве на Z-RAM памяти, технология
Innovative Silicon (ISi) and Hynix announced yesterday that they will both working on an agreement to license its Z-RAM memory technology to be implemented on Hynix future memory product lines. Новаторские кремния (ИСИ) и HYNIX объявил вчера о том, что они оба работают над соглашением к лицензии его Z-RAM памяти, технология будет осуществляться по HYNIX будущих памяти производственных линий. The collaboration effort will be able to benefit Hynix with Z-RAM technology integrated to its DRAM manufacturing lines. Взаимодействие усилий смогут воспользоваться HYNIX с Z-RAM технологий, интегрированных в его производстве DRAM линий. Similar license was first granted to AMD since end of 2005 for its microprocessor product lines development. Аналогичные лицензии впервые был предоставлен AMD с конца 2005 года для его микропроцессор продукт линии развития.
Z-RAM, or sometimes known as “zero capacitor RAM” is a low cost memory technology that has advantages over current DRAM or SRAM technology in terms density and speed. Z-RAM, или иногда называют "нулевой конденсатор памяти" является низкая стоимость памяти, технологию, которая имеет преимущества по сравнению с нынешним DRAM или SRAM технологии с точки зрения плотности и скорости. Z-RAM memory uses capacitance stored in the floating body effect of the SOI wafer itself, which eliminates the extra capacitors needed. Z-RAM памяти использует емкостного хранится в плавающее тело эффект от СОИ пластин себя, что исключает дополнительные конденсаторы необходимы. With only single transistor bitcell (without additional capacitors), the electronics density can be increased as compared to DRAM and SRAM. Что только одно транзистор bitcell (без дополнительных конденсаторов), электроника плотности может быть увеличена по сравнению с DRAM и SRAM. This helps to shrink its size five times more as compared to SRAM and two times for DRAM theoretically. Это помогает уменьшить его размеры в пять раз больше по сравнению с SRAM и два раза на DRAM теоретически. While lowering the cost and increasing the density, the latency can be improved as well due to the smaller package size and short trace length. В то время как снижение издержек и повышение плотности, задержки могут быть улучшены, а из-за меньшего размера пакета и короткий след длиной.
One of the real applications with advantages of using Z-RAM technology is the on-chip cache memory for the microprocessor. Одним из реальных приложений с преимуществами использования Z-RAM технологий на чипе кэш-памяти микропроцессора. With the increase size and faster speed of the cache, the overall CPU performance can be improved significantly. С увеличением размера и быстрее скорости кэш-памяти, общая эффективность процессора могут быть значительно улучшилось. Initially Hynix may experience huge investment and process trade-off just to fine tune its design and manufacturing process, but the Korean DRAM memory maker should expect long term gain after transitioning over to this new technology. Первоначально HYNIX возможно возникновение огромных инвестиций и процесса торговли покинуть только для тонкой настройки его разработки и производственный процесс, но корейский памяти DRAM мейкер следует ожидать долгосрочной перспективе получить после перехода над этой новой технологии.
IMPORTANT : This is a machine translated page which is provided "as is" without warranty. ВАЖНО: Это машина переведена страницу, которая предоставляется "как есть" без гарантии. Machine translation may be difficult to understand. Машинный перевод может быть трудным для понимания. Please refer to Пожалуйста, обратитесь к original English article Английский оригинальные статьи whenever possible. когда это возможно.
Share and contribute or get technical support and help at Делите и вклад или получить техническую поддержку и помощь в My Digital Life Forums Моя Цифровая жизнь Форумы .
Related Articles Статьи по теме
- New Buffalo 32GB Flash Memory Drive With TurboUSB Technology Новая Буффало 32GB флэш-памяти, привод с технологией TurboUSB
- Sandisk Announces 16GB microSDHC And Memory Stick Micro (M2) Mobile Memory Cards SanDisk объявляет 16GB microSDHC и Memory Stick Micro (M2) мобильных карт памяти
- Toshiba Unveiled 32GB Highest Memory Capacity NAND Flash Memory Devices for Consumer Markets Toshiba обнародовала 32GB высоком памяти NAND флэш-памяти устройств для потребительского рынка
- Microsoft BlueTrack Technology - The World’s Most Advanced Tracking Technology Microsoft BlueTrack технологии - самые передовые технологии слежения
- Intel Collaboration With OLPC on Low End Laptop Intel совместно с OLPC на нижней ноутбук
- LG and Netflix Collaboration to Develop HD Set-Top Box for Media Streaming Л.Г. и Netflix сотрудничестве в разработке HD Set-Top Box для средств массовой информации потоковое
- BMW and Apple Collaboration in iPhone Support for its Latest Models BMW и Apple Сотрудничество в iPhone поддержку своей Последние модели
- Apple and Audi Collaboration for In-Vehicle iPhone Support Apple и Audi Сотрудничество в области транспортных iPhone Поддержка
- Panasonic and Maxis collaboration in Remote Mobile Surveillance Solution Panasonic и Maxis сотрудничестве в области дистанционного наблюдения Мобильные решения
- Motorola and Microvision Collaboration on Mobile Phone With Projector Function Motorola и Microvision сотрудничестве на мобильный телефон с функцией проектора
