Hynix and ISi Collaboration On Z-RAM Memory Technology 하이닉스와 있겠지 협업부터 Z - RAM 메모리 기술
Innovative Silicon (ISi) and Hynix announced yesterday that they will both working on an agreement to license its Z-RAM memory technology to be implemented on Hynix future memory product lines. 혁신적인 실리콘 (있겠지)와 하이닉스는 어제 합의부터 Z - 하이닉스는 향후 메모리 제품 라인에 구현되어 RAM 메모리 기술 라이센스에 그들이 모두 작동을 발표했다. The collaboration effort will be able to benefit Hynix with Z-RAM technology integrated to its DRAM manufacturing lines. 협업 노력 혜택 하이닉스는 Z - RAM이 기술은 D 램 생산 라인을 통합하실 수있습니다. Similar license was first granted to AMD since end of 2005 for its microprocessor product lines development. 비슷한 라이센스를 처음으로 자사의 마이크로 프로세서 제품 라인 개발을 위해 2005 년 말 이후 AMD에게 부여했다.
Z-RAM, or sometimes known as “zero capacitor RAM” is a low cost memory technology that has advantages over current DRAM or SRAM technology in terms density and speed. 부터 Z - RAM 또는 때때로 "제로 캐패시터 램"으로 알려져 밀도와 속도 측면에서 현재의 DRAM이나 SRAM의 기술에 비해 몇 가지 장점을 가진 저비용 메모리 기술입니다. Z-RAM memory uses capacitance stored in the floating body effect of the SOI wafer itself, which eliminates the extra capacitors needed. 부터 Z - RAM 메모리 용량 커패시터를 필요로하는 여분의 제거 the은 SOI 웨이퍼 자체의 효과에 저장된 떠있는 시체를 사용합니다. With only single transistor bitcell (without additional capacitors), the electronics density can be increased as compared to DRAM and SRAM. 단일 트랜지스터 bitcell에만 추가 커패시터 ()하지 않고, 전자의 DRAM 및 SRAM에 비해 밀도로 늘릴 수있다. This helps to shrink its size five times more as compared to SRAM and two times for DRAM theoretically. 이 자사의 크기를 축소하는 데 도움이 5 배 이상으로 두 차례의 SRAM 및 DRAM을위한 이론적으로 비교했다. While lowering the cost and increasing the density, the latency can be improved as well due to the smaller package size and short trace length. 밀도가 증가하면서 비용을 낮추고뿐만 아니라 작은 패키지 크기 때문에 짧은 길이를 추적하고, 대기 시간을 향상시킬 수있습니다.
One of the real applications with advantages of using Z-RAM technology is the on-chip cache memory for the microprocessor. 하나부터 Z 사용의 장점과 함께 실제 응용 프로그램의 - RAM의 기술에 대한 마이크로 - 칩 캐시 메모리입니다. With the increase size and faster speed of the cache, the overall CPU performance can be improved significantly. 캐시의 크기와 속도가 빠른 증가와 함께 전체적인 CPU 성능을 대폭 향상시킬 수있습니다. Initially Hynix may experience huge investment and process trade-off just to fine tune its design and manufacturing process, but the Korean DRAM memory maker should expect long term gain after transitioning over to this new technology. 당초 하이닉스는 엄청난 투자와 공정 거래 경험이있습니다 -에서 단지는 설계 및 제조 과정을 조정할 수 있지만 한국의 D 램 메모리 제조이 새로운 기술로 전환 후 장기적인 이득을 기대한다.
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